网站首页
关于我们
公司介绍
企业文化
代理资质
产品中心
技术中心
应用领域
新闻动态
公司新闻
行业资讯
联系我们
客户留言
当脉冲电源遇上碳化硅----第三代静电除尘电源的SiC革命
一篇写给环保电源工程师、整机厂选型采购、以及关心双碳与碳化硅同行的硬核科普。
英飞凌IGBT模块选型指南, 从IGBT4到IGBT7，如何选择？
IGBT7一定比IGBT4好吗？ 我的应用到底该选哪一代？ 性价比最优的方案是什么？ 本文将从技术演进、性能对比、应用场景三个维度，为您详细解读IGBT模块的选型之道。
10kV/2.5MW固态变压器SiC功率器件解决方案
随着SiC MOSFET技术的成熟，基于SiC器件的SST方案在中高压大功率场景下展现出卓越的性能潜力。本文将围绕10kV/2.5MW典型应用场景，推荐元山电子SiC
固态变压器（SST）应用方案
碳化硅（SiC）功率器件的出现，特别是高压SiC MOSFET模块商业化，为中压配电网SST的应用提供了关键技术支撑。
元山YS12DL350FM2 SiC功率模块
元山YS12DL350FM2是一款1200V/350A碳化硅功率模块，采用62mm标准封装，集成SiC MOSFET与独立SiC肖特基二极管（SBD），专为高效、高频电力电子应用设计。
SiC MOSFET模块带独立二极管的好处解析
在SiC MOSFET模块中并联一个独立的、高性能的SiC肖特基势垒二极管（通常称为SiC SBD），主要是为了替代或绕过MOSFET内部的体二极管，从而解决SiC体二极管固有的几个关键缺陷。
