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10kV/2.5MW固态变压器SiC功率器件解决方案
随着SiC MOSFET技术的成熟，基于SiC器件的SST方案在中高压大功率场景下展现出卓越的性能潜力。本文将围绕10kV/2.5MW典型应用场景，推荐元山电子SiC
固态变压器（SST）应用方案
碳化硅（SiC）功率器件的出现，特别是高压SiC MOSFET模块商业化，为中压配电网SST的应用提供了关键技术支撑。
元山YS12DL350FM2 SiC功率模块
元山YS12DL350FM2是一款1200V/350A碳化硅功率模块，采用62mm标准封装，集成SiC MOSFET与独立SiC肖特基二极管（SBD），专为高效、高频电力电子应用设计。
SiC MOSFET模块带独立二极管的好处解析
在SiC MOSFET模块中并联一个独立的、高性能的SiC肖特基势垒二极管（通常称为SiC SBD），主要是为了替代或绕过MOSFET内部的体二极管，从而解决SiC体二极管固有的几个关键缺陷。
62mm封装SiC MOSFET驱动方案推荐
针对62mm封装SiC MOSFET模块的驱动方案，SiC驱动电路一般是自己搭建或者购买现成的驱动板，我们结合市场上主流的成品驱动板方案进行分析，并提出适用于铜排和叠层母排的杂散电感要求建议。
SiC MOSFET与IGBT驱动差异性解析
SiC MOSFET和IGBT的栅极驱动电压差异，直接反映了其底层工作原理和材料特性的不同。
