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SiC MOSFET模块带独立二极管的好处解析
在SiC MOSFET模块中并联一个独立的、高性能的SiC肖特基势垒二极管（通常称为SiC SBD），主要是为了替代或绕过MOSFET内部的体二极管，从而解决SiC体二极管固有的几个关键缺陷。
62mm封装SiC MOSFET驱动方案推荐
针对62mm封装SiC MOSFET模块的驱动方案，SiC驱动电路一般是自己搭建或者购买现成的驱动板，我们结合市场上主流的成品驱动板方案进行分析，并提出适用于铜排和叠层母排的杂散电感要求建议。
SiC MOSFET与IGBT驱动差异性解析
SiC MOSFET和IGBT的栅极驱动电压差异，直接反映了其底层工作原理和材料特性的不同。
PI ISO5125I 与 飞仕得 FPS08-15K 高压隔离电源方案深度解析与选型指南
北京富凌联合电子作为深耕IGBT模块及驱动解决方案的专业代理商，我们深知一个稳定、高效、隔离的电源对于整个功率驱动系统的至关重要。
英飞凌SiC MOSFET模块及驱动方案详解
为满足不同电压等级的需求，英飞凌公司推出了三种封装SiC MOSFET产品：62mm封装、EconoDUAL3封装以及XHP2封装，这些封装产品兼顾了IGBT的结构设计思路，为工程师提供了多样化的选择。
飞仕得适用于EconoDUAL封装的并联驱动板
北京富凌联合电子作为飞仕得一级代理商，熟知客户并联应用需求痛点，积极向飞仕得反馈并联需求，推动并联解决方案的应用。
