元山YS12DL350FM2 SiC功率模块
发布时间:
2026-02-27
元山YS12DL350FM2是一款1200V/350A碳化硅功率模块,采用62mm标准封装,集成SiC MOSFET与独立SiC肖特基二极管(SBD),专为高效、高频电力电子应用设计。
为高性能应用而生
产品概述
元山YS12DL350FM2是一款1200V/350A碳化硅功率模块,采用62mm标准封装,集成SiC MOSFET与独立SiC肖特基二极管(SBD),专为高效、高频电力电子应用设计。

核心优势
1. 独立二极管设计(非体二极管)
- 采用独立SiC肖特基二极管,相比传统SiC MOSFET的体二极管:
- 反向恢复时间:极短
- 反向恢复损耗:极低
- 正向压降:更低
- EMI干扰:更小
2. 超低关断损耗
- 关断损耗(Eoff)显著降低
- 开关过程更加可控
- 系统效率大幅提升
3. 更高开关频率
- 支持更高开关频率运行
- 减小无源元件体积
- 降低系统成本
4. 改善系统性能
- 减少电压尖峰:抑制开关过程中的电压overshoot
- 降低EMI辐射:改善电磁兼容性
- 优化开关波形:更平滑的电压电流波形
- 提升系统可靠性:减少器件应力

产品参数
- 型号:YS12DL350FM2
- 电压:1200V
- 电流:350A @高温标90℃条件下
- 封装:62mm
- 芯片技术:国产SiC MOSFET + SiC SBD
- 二极管类型:独立SiC肖特基二极管
- 最高结温:175℃

典型应用领域
- 感应加热电源:工业感应加热、电磁炉
- 高频开关电源:脉冲电源、环保电源、医疗设备电源
- 固态变压器(SST):智能电网、电力电子变压器、能量变换系统
- 高性能有源滤波器(APF):电能质量治理、谐波抑制、无功补偿
与竞品对比
与英飞凌FF2MR12KM1H对比:
元山:独立SiC SBD,价格更具竞争力
英飞凌:体二极管,价格较高
与Wolfspeed CAS300M12BM2对比:
元山:350A,独立SiC SBD,供货稳定,价格优势明显
Wolfspeed:300A,体二极管,供货紧张,价格昂贵
为什么选择元山SiC模块?
高性价比:国产芯片,成本优势明显;稳定供货,无断货风险
高性能:独立SiC SBD,关断损耗更低;支持更高开关频率;改善系统整体性能
广泛应用:覆盖感应加热、高频电源、SST、APF等多个高端领域
专业技术支持:提供选型支持;协助客户优化设计;配套驱动方案;快速响应客户需求
总结
元山YS12DL350FM2 SiC模块:
- 独立SiC肖特基二极管设计
- 超低关断损耗
- 支持更高开关频率
- 改善系统性能
- 高温标称电流
- 高性价比
是您高性能电力电子应用的理想选择!
元山(济南)电子科技有限公司授权代理商:北京富凌联合电子技术有限公司

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