英飞凌SiC MOSFET模块及驱动方案详解
发布时间：
2025-08-20
随着电力电子设备对高频率、高效率以及小型化需求的日益增长，SiC MOSFET已然成为满足这些要求的理想之选。不仅如此，SiC MOSFET的应用范围也从小功率的分立器件逐步扩展至中大功率的模块封装领域。为满足不同电压等级的需求，英飞凌公司推出了三种封装SiC MOSFET产品：62mm封装、EconoDUAL3封装以及XHP2封装，这些封装产品兼顾了IGBT的结构设计思路，为工程师提供了多样化的选择。
飞仕得作为英飞凌的全球战略合作伙伴，一直与英飞凌保持着紧密的合作关系。针对英飞凌推出的三款SiC MOSFET产品，飞仕得精心研发了相匹配的SiC MOSFET驱动板，旨在为客户提供更为便捷的选择，并进一步拓展了并联应用的范畴。
英飞凌SiC MOSFET模块的常用型号及配套飞仕得驱动型号如下：
英飞凌SiC MOSFET模块的命名规则如下：
一、62mm封装
英飞凌推出1200V和2000V两种电压等级的SiC MOSFET模块，均为两单元拓扑结构，其中，1200V最大电流为560A，2000V最大电流为400A。型号如下：
- FF1MR12KM1H 560A/1200V
- FF2MR12KM1H 420A/1200V
- FF3MR12KM1H 280A/1200V
- FF6MR12KM1H 180A/1200V
- FF3MR20KM1H 400A/2000V
- FF4MR20KM1H 300A/2000V
飞仕得适配62mm封装的SiC MOSFET即插即用型双通道驱动板，型号是2FHD0220，驱动功率为2W，驱动电流为20A，驱动电压可配置。
二、EconoDUAL3封装
英飞凌目前只推出了一个规格：1200V，1.4mΩ，半桥拓扑结构，增强型1代M1H芯片、集成了NTC温度传感器和压接引脚，型号如下：
- FF1MR12M1H_B11 压接引脚
- FF1MR12M1HP_B11 压接引脚，预涂TIM导热材料
- FF1MR12M1HW_B11 基板背面的Wave波浪结构
目标应用市场为：储能系统、通用电机驱动器、工业电源、电动汽车充电等。
飞仕得适配EconoDUAL3封装的SiC MOSFET即插即用型双通道驱动板，型号是2FHD060，驱动功率为6W，驱动电流为20A，支持多电平，支持最多4个模块并联。
三、XHP2封装
英飞凌SiC MOSFET 3300V集成体二极管，半桥拓扑，XHP2封装，采用.XT互联技术，方便并联使用。
产品型号：
- FF2000UXTR33T2M1 (1000A/3300V)
- FF2600UXTR33T2M1 (750A/3300V)
- FF4000UXTR33T2M1 (500A/3300V)
目标应用市场
轨道交通：牵引变流器、辅助变流器；
可再生能源：光伏、储能、电解制氢。
飞仕得适配XHP2封装的SiC MOSFET双通道驱动板，型号是2FHC06M33XX，支持3300V的SiC模块，整体架构由一块MCC(绝缘主控板）和多组MAB(模块适配驱动板）单元组成，MCC和MAB之间
通过一组线缆连接，可灵活匹配1-4个SiC模块 。
飞仕得驱动板命名规则如下 ：
北京富凌联合电子，作为英飞凌在中国的重要增值服务商，肩负着IGBT、SiC MOSFET等前沿新产品的市场推广重任。同时，该公司还代理飞仕得驱动产品，这两条卓越的产品线共同构成了其业务版图的核心。
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