驱动核2SC0435T中文应用手册
发布时间：
2025-07-21
一、产品概述
基本特性
双通道大功率IGBT/MOSFET驱动核，支持电压≤1700V的功率模块。
超紧凑尺寸：57.2mm × 51.6mm × 20.5mm（工业级最小尺寸之一）。
低成本设计，开关频率高达100kHz，支持多驱动器并联及多电平拓扑（如三电平）。
核心功能
集成隔离DC/DC电源、短路保护、有源钳位（ACL）、电源监控。
二、接口与电路设计
原方接口（10引脚）
| 引脚 | 功能说明 |
|---|---|
| VCC/VDC | 15V供电端子（共用电源可省限流电路） |
| INA/INB | PWM信号输入（3.3–15V逻辑电平） |
| MOD | 模式选择： 直接连接GND=直接模式； 72k–181kΩ电阻接地=半桥模式（自动死区） |
| TB | 设定故障阻断时间Tb：Rb(kΩ)=1.0·Tb(ms)+51（20ms<Tb<130ms） |
| SO1/SO2 | 故障状态输出（漏极开路，故障时拉低） |
特别提醒：
- 两个接地管脚必须连接在一起，且连接线寄生电感要低。
- 强烈建议使用公用接地层或较宽的PCB连续线。
- 两个接地管脚之间的连接距离必须保持最小。
- 所有输入和输出端都具有静电防护功能，并且，所有的数字信号输入端都有施密特特性。
工作模式选择：
- 直接模式
如果MOD输入端连接到GND,则选择了直接模式。在这种模式下，两个通道之间相互独立，互不影响。输入INA直接影响通道1，而输入INB影响通道2。输入端（INA或INB）的高电平总是开通对应的IGBT。
在半桥拓扑中，只有当控制电路产生了足够的死区时间，可使每个IGBT都安全接收其各自的驱动信号时，才能选择此模式。
注意：半桥的两个IGBT同时导通或导通时间重叠会导致直流母线短路。
2.半桥模式
如果通过一个72k＜Rm＜181k的电阻将MOD输入端接到GND,则选择了半桥模式，在这种模式下，输入端INA和INB的功能分别为：INA是驱动信号输入端，INB充当使能信号输入端（如下图）。建议经Rm并联一个电容Cm=22nF,以减小INA的在上升沿和下降沿分别产生的死区时间Td后，通道1的门极开通。
INA、INB（驱动输入端，例如PWM信号）
INA和INB通常是驱动输入，但是它们的功能取决于MOD输入端。它们可以有郊地识别出3.3V到15V之间的所以逻辑电平信号。这两个输入端具备施密特特性，INA或INB输入信号的任何跳沿都可以触发驱动器动作。
SO1、SO2（状态输出）
输出端SOx为晶体管漏极开路形式，未检测到故障时，输出为高阻抗。当SOx输出端悬空时，将会有一个500uA的内部电流源将其电压拉到大约4V。当检测到故障时（原方电源欠压、副方电源欠压、IGBT短路或过流），对应的状态输出端SOx被拉到低电平（连接到GND）。
D1和D2必须为肖特基二极管，在3.3V逻辑电平下必须使用这两个二极管。而在5V-15V逻辑电平下，可以省略这两个二极管。
在故障状态下，最大SOx电流不得超过驱动器数据手册中规定的值。
两个SOx输出端可以连接在一起，以提供公共故障信号（例如，同一相）。但是，推荐使用单独的故障信号以便快速精确地诊断故障 。
如何处理状态信息
- 当驱动副方发生故障时（例如IGBT模块短路或副方电源欠压），故障信号会立即送到对应的SOx输出端。从这个时刻算起，在经过阻断时间Tb后，SOx会自动复位(回到高阻态)。
- 原方电源欠压时，两个SOx输出端都会报错。当原方电源欠压消失后，两个SOx输出自动复位(恢复到高阻抗状态)。
副方接口（8引脚/通道）
关键端子：
VISOx：DC/DC输出
GHx/GLx：独立门极开通/关断电阻控制
VCEx：IGBT集电极检测（短路保护）
REFx：设置VCE检测阈值（150µA恒流源）
ACLx：高级有源钳位反馈
外部电路要求：
门极电荷>3µC需外接支撑电容（每增1µC加≥3µF电容）。
有源钳位推荐TVS二极管链（如600V IGBT用6×80V TVS）。
三、核心保护机制
短路保护（VCE检测）
通过VCEx检测IGBT退饱和，响应时间由外部电容Cax设定：
| Cax(pF) | Rthx=68kΩ时响应时间(µs) |
|---|---|
| 0 | 1.5 |
| 47 | 12.2 |
故障触发后：立即关断IGBT，SOx输出低电平，持续阻断时间Tb。
有源钳位（ACL）
抑制过压：当VCE超阈值时线性开通IGBT。
高级ACL：需20Ω电阻+肖特基二极管（优化效率，降低TVS损耗）。
电源监控
原/副方欠压时封锁驱动输出，SOx报故障（副方欠压后Tb时间自动复位）。
四、机械与安装
引脚间距：2.54mm（兼容标准连接器）。
焊接参数：
焊盘直径：Ø2mm
焊孔直径：Ø1mm
高度限制：顶部器件高度≤20.5mm。
五、应用支持
并联操作：参考应用指南AN-0904。
多电平拓扑：参考AN-0901（如三电平逆变器）。
其它需求：请联系富凌联合技术支持。
六、订购型号
常用型号：2SC0435T2G1-17
特性描述：无铅版+增强EMI性能（引脚长3.1mm）
对应国产飞仕得驱动核：2FHC0435C17，具有高性价比，详情可以北京富凌联合电子销售人员。
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