适配于英飞凌和CREE SiC模块的数字驱动板，62mm封装即插即用型
发布时间：
2022-09-20
SiC材料因其高频、高压、高效等显著特点，在电力电子产品中已得到了广泛的研究与应用。继CREE、ROHM推出1200V 最大电流300A的 SiC MOSFET模块后，英飞凌于2020年4月推荐三款1200V 62mm封装的SiC MOSFET,电流分别为180A、420A、560A，其中，560A是目前已知SiC MOSFET 62mm封装半桥模块中最大电流等级。
主流SiC厂家将大功率SiC MOSFET模块设计为62mm封装，具有一定的外形兼容性，同时，SiC MOSFET的驱动电路也可兼容多个SiC品牌，如：英飞凌、CREE等主流SiC厂家。
数字驱动专家：飞仕得（Firstack）推出一款针对62mm封装SiC MOSFET的数字驱动板：2FSD0410-62C，该驱动驱动峰值电流±10A，单路驱动功率为4W，具有软关断和米勒钳位功能。
原边电流输入直流电压Vcc，通过DC/DC电路供电到副边，保证整个驱动的能量输送；原边PWM信号输入通过数字核处理后隔离传输至副边，经过相磁放大电路得到半导体器件SiC MOSFET的驱动信号。
主要功能说明：
1、温度采集及过温检测；
2、短路保护；
3、欠压保护；
4、软关断；
5、智能故障管理；
6、PWM输入互锁；
飞仕得（Firstack）是IGBT智能驱动的领导品牌，致力于智能IGBT驱动器、功率STACK的研发销售，提供完整、高品质的功率模组整体解决方案。作为全球首家将智能驱动引入到新能源发电领域的企业，也是国内最大的风电变流器驱动供应商。
北京富凌联合电子是飞仕得一级代理商，全线代理飞仕得旗下所有产品，库存丰富，正品保证。
匹配SiC MOS模块型号如下：
FF6MR12KM1H 180A/1200V 6mΩ 英飞凌
FF2MR12KM1 420A/1200V 2mΩ 英飞凌
FF1MR12KM1 560A/1200V mΩ 英飞凌
CAS120M12BM2 120A/1200V CREE
CAS300M12BM2 300A/1200V CREE
CAS300M17BM2 300A/1700V CREE
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