SiC材料因其高频、高压、高效等显著特点，在电力电子产品中已得到了广泛的研究与应用。继CREE、ROHM推出1200V 最大电流300A的 SiC MOSFET模块后，英飞凌于2020年4月推荐三款1200V 62mm封装的SiC MOSFET,电流分别为250A、375A、500A，其中，500A是目前已知SiC MOSFET 62mm封装半桥模块中最大电流等级。

主流SiC厂家将大功率SiC MOSFET模块设计为62mm封装，具有一定的外形兼容性，同时，SiC MOSFET的驱动电路也可兼容多个SiC品牌，如：英飞凌、CREE等主流SiC厂家。

数字驱动专家：飞仕得（Firstack）推出一款针对62mm封装SiC MOSFET的数字驱动板：2FSD0410-62C，该驱动驱动峰值电流±10A，单路驱动功率为4W，具有软关断和米勒钳位功能。

原边电流输入直流电压Vcc，通过DC/DC电路供电到副边，保证整个驱动的能量输送；原边PWM信号输入通过数字核处理后隔离传输至副边，经过相磁放大电路得到半导体器件SiC MOSFET的驱动信号。

主要功能说明：

1、温度采集及过温检测；

2、短路保护；

3、欠压保护；

4、软关断；

5、智能故障管理；

6、PWM输入互锁；

飞仕得（Firstack）是IGBT智能驱动的领导品牌，致力于智能IGBT驱动器、功率STACK的研发销售，提供完整、高品质的功率模组整体解决方案。作为全球首家将智能驱动引入到新能源发电领域的企业，也是国内最大的风电变流器驱动供应商。

北京富凌联合电子是飞仕得一级代理商，全线代理飞仕得旗下所有产品，库存丰富，正品保证。

匹配SiC MOS模块型号如下：

FF6MR12KM1  250A/1200V 6mΩ 英飞凌

FF3MR12KM1  375A/1200V 3mΩ 英飞凌

FF2MR12KM1  500A/1200V 2mΩ 英飞凌

CAS120M12BM2  120A/1200V CREE

CAS300M12BM2  300A/1200V CREE

CAS300M17BM2  300A/1700V CREE